IRF6775MTRPBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Número da pe?a NOVA:
312-2263584-IRF6775MTRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF6775MTRPBF
Embalagem padr?o:
4,800
Ficha técnica:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DIRECTFET™ MZ | |
| Número do produto base | IRF6775 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta), 28A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 5.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | DirectFET™ Isometric MZ | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1411 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Outros nomes | IRF6775MTRPBFCT IRF6775MTRPBFDKR IRF6775MTRPBFTR SP001562042 IRF6775MTRPBF-ND |
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