PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Número da pe?a NOVA:
312-2272570-PSMN102-200Y,115
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PSMN102-200Y,115
Embalagem padr?o:
1,500
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número do produto base | PSMN102 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 21.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30.7 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1568 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 113W (Tc) | |
| Outros nomes | 1727-5227-6 568-6544-2-ND 568-6544-1-ND 1727-5227-2 PSMN102-200Y T/R-ND 1727-5227-1 PSMN102200Y115 568-6544-6-ND PSMN102-200Y,115-ND 568-6544-6 PSMN102-200Y T/R 568-6544-2 568-6544-1 934061323115 |
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