SUD09P10-195-GE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2294196-SUD09P10-195-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUD09P10-195-GE3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | SUD09 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 3.6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1055 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) | |
| Outros nomes | SUD09P10-195-GE3CT SUD09P10-195-GE3TR SUD09P10195GE3 SUD09P10-195-GE3DKR |
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