SPD15P10PGBTMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	SPD15P10
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 1.54mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1280 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	128W (Tc)
Outros nomes	SPD15P10P G-ND SPD15P10P G SPD15P10PGBTMA1CT SPD15P10PGBTMA1TR SPD15P10PGBTMA1DKR SP000212233

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