DMT6010LPS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Número da pe?a NOVA:
312-2263387-DMT6010LPS-13
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMT6010LPS-13
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 80A (Tc) 2.2W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerDI5060-8 | |
| Número do produto base | DMT6010 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2090 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.2W (Ta), 113W (Tc) | |
| Outros nomes | DMT6010LPS-13DICT DMT6010LPS-13DITR DMT6010LPS-13DIDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
ISZ0602NLSATMA1Infineon Technologies
DMT6016LSS-13Diodes Incorporated
RS1L145GNTBRohm Semiconductor
DMTH6010LPSQ-13Diodes Incorporated
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated
BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
BSC097N06NSATMA1Infineon Technologies- BSC0704LSATMA1Infineon Technologies
FDMS86520Lonsemi- BSC0703LSATMA1Infineon Technologies
