DMTH6010LPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Número da pe?a NOVA:
312-2278183-DMTH6010LPSQ-13
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMTH6010LPSQ-13
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 13.5A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerDI5060-8 | |
| Número do produto base | DMTH6010 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2090 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.6W (Ta), 136W (Tc) | |
| Outros nomes | DMTH6010LPSQ-13DIDKR DMTH6010LPSQ-13DITR DMTH6010LPSQ-13DICT |
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