DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2263501-DMT6016LSS-13
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMT6016LSS-13
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO | |
| Número do produto base | DMT6016 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 864 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) | |
| Outros nomes | DMT6016LSS-13DITR DMT6016LSS-13DICT DMT6016LSS-13DIDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- MCP6L72T-E/MSMicrochip Technology
- DMT6015LSS-13Diodes Incorporated
- A4950ELJTR-TAllegro MicroSystems
- AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- ICL3232IVZ-TRenesas Electronics America Inc
- BSC196N10NSGATMA1Infineon Technologies
- DMT6010LPS-13Diodes Incorporated
- IRF7470TRPBFInfineon Technologies
- STLD40DPURSTMicroelectronics
- TSM120N06LCS RLGTaiwan Semiconductor Corporation
- AO4484Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- DMT6009LSS-13Diodes Incorporated
- MIC803-29D3VC3-TRMicrochip Technology
- FDS5680onsemi













