NP100P06PDG-E1-AY

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Renesas Electronics America Inc
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-263
Número do produto base	NP100P06
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15000 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta), 200W (Tc)
Outros nomes	NP100P06PDG-E1-AY-ND 559-NP100P06PDG-E1-AYCT -1161-NP100P06PDG-E1-AYCT 559-NP100P06PDG-E1-AYTR 559-NP100P06PDG-E1-AYDKR

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