SUM110P06-08L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2283348-SUM110P06-08L-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUM110P06-08L-E3
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263 (D²Pak) | |
| Número do produto base | SUM110 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9200 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.75W (Ta), 272W (Tc) | |
| Outros nomes | SUM110P06-08L-E3TR SUM110P06-08L-E3DKR SUM110P06-08L-E3CT SUM110P0608LE3 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
ATP304-TL-Honsemi
IXTA120P065TIXYS
SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
ADP7142AUJZ-R7Analog Devices Inc.
TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
OPA192IDBVRTexas Instruments- SUM110P06-07L-E3Vishay Siliconix
- SQM110P06-8M9L_GE3Vishay Siliconix
NP50P06KDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc