RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Número da pe?a NOVA:
312-2271443-RFD3055LESM9A
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RFD3055LESM9A
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Harris Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 8A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 38W (Tc) | |
| Outros nomes | 2156-RFD3055LESM9A-HCTR ONSONSRFD3055LESM9A |
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