FDD86367-F085

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MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2282857-FDD86367-F085

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDD86367-F085

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252AA
Número do produto base	FDD86367
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	88 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4840 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.)	227W (Tj)
Outros nomes	FDD86367F085 FDD86367_F085 FDD86367_F085CT FDD86367_F085DKR-ND FDD86367_F085TR FDD86367_F085DKR FDD86367-F085CT FDD86367_F085TR-ND FDD86367-F085TR FDD86367_F085CT-ND FDD86367-F085DKR