TK5R1P08QM,RQ
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Número da pe?a NOVA:
312-2287948-TK5R1P08QM,RQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK5R1P08QM,RQ
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 84A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 42A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 104W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TK5R1P08QM,RQDKR-ND 264-TK5R1P08QM,RQDKR 264-TK5R1P08QMRQDKR 264-TK5R1P08QM,RQTR TK5R1P08QM,RQ(S2 264-TK5R1P08QM,RQCT-ND 264-TK5R1P08QM,RQCT 264-TK5R1P08QMRQTR 264-TK5R1P08QM,RQTR-ND 264-TK5R1P08QMRQCT |
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