FDD86367
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2281826-FDD86367
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDD86367
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D-PAK (TO-252) | |
| Número do produto base | FDD863 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4840 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 227W (Tj) | |
| Outros nomes | FDD86367-ND FDD86367OSCT FDD86367OSDKR FDD86367OSTR |
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