BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 32A/100A TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2295844-BSC016N03LSGATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC016N03LSGATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-1 | |
| Número do produto base | BSC016 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 131 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC016N03LSGATMA1DKR BSC016N03LS GDKR BSC016N03LSGATMA1TR BSC016N03LS GCT-ND BSC016N03LS G BSC016N03LS GTR-ND BSC016N03LS G-ND INFINFBSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LSG 2156-BSC016N03LSGATMA1 BSC016N03LS GCT Q3354123A BSC016N03LSGATMA1CT SP000237663 BSC016N03LS GDKR-ND |
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