TJ200F04M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Número da pe?a NOVA:
312-2288766-TJ200F04M3L,LXHQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TJ200F04M3L,LXHQ
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
P-Channel 40 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220SM(W) | |
| Número do produto base | TJ200F04 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 200A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 460 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | +10V, -20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1280 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TJ200F04M3LLXHQCT TJ200F04M3L,LXHQ(O 264-TJ200F04M3LLXHQDKR 264-TJ200F04M3LLXHQTR |
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