SQJQ131EL-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 30 V (D-S)
Número da pe?a NOVA:
312-2297456-SQJQ131EL-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQJQ131EL-T1_GE3
Embalagem padr?o:
2,000
P-Channel 30 V 280A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 280A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 731 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 33050 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 600W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SQJQ131EL-T1_GE3CT 742-SQJQ131EL-T1_GE3TR 742-SQJQ131EL-T1_GE3DKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IXTX210P10TIXYS
TJ200F04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay Siliconix