IPB180P04P4L02ATMA2

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Número da pe?a NOVA:

312-2289001-IPB180P04P4L02ATMA2

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB180P04P4L02ATMA2

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-7-3
Número do produto base	IPB180
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS®-P2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 410µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	286 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Máx.)	+5V, -16V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	18700 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	150W (Tc)
Outros nomes	448-IPB180P04P4L02ATMA2DKR 448-IPB180P04P4L02ATMA2TR SP002319828 448-IPB180P04P4L02ATMA2CT