RD3L08BGNTL
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2291110-RD3L08BGNTL
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RD3L08BGNTL
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252 | |
| Número do produto base | RD3L08 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3620 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 119W (Tc) | |
| Outros nomes | RD3L08BGNTLDKR RD3L08BGNTLTR RD3L08BGNTLCT |
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