RD3P08BBDTL
MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2288547-RD3P08BBDTL
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RD3P08BBDTL
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 80A (Ta) 119W (Ta) Surface Mount TO-252
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252 | |
| Número do produto base | RD3P08 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1940 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 119W (Ta) | |
| Outros nomes | RD3P08BBDTLTR RD3P08BBDTLDKR RD3P08BBDTLCT |
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