SQD50N06-09L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2289045-SQD50N06-09L_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQD50N06-09L_GE3
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | SQD50 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3065 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) | |
| Outros nomes | SQD50N06-09L_GE3CT SQD50N06-09L_GE3TR SQD50N06-09L_GE3DKR SQD50N06-09L-GE3 SQD50N06-09L-GE3-ND |
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