IPD65R400CEAUMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3
Número do produto base	IPD65R400
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	15.1A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 320µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Recurso FET	Super Junction
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	118W (Tc)
Outros nomes	IPD65R400CEAUMA1CT IPD65R400CEAUMA1-ND IPD65R400CEAUMA1TR IPD65R400CEAUMA1DKR SP001466800

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