NVATS5A114PLZT4G
MOSFET P-CHANNEL 60V 60A ATPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2311319-NVATS5A114PLZT4G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVATS5A114PLZT4G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 72W (Tc) Surface Mount ATPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | ATPAK | |
| Número do produto base | NVATS5 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 28A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 72W (Tc) |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
ATP304-TL-Honsemi
NVATS5A302PLZT4Gonsemi
SQD50P06-15L_GE3Vishay Siliconix
TJ60S06M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and Storage- TJ60S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
RD3L07BATTL1Rohm Semiconductor- TJ50S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and Storage
- SUD50P06-15-GE3Vishay Siliconix
- NVATS5A304PLZT4Gonsemi
NVD5117PLT4G-VF01onsemi- ATP113-TL-Honsemi
- MCU60P06-TPMicro Commercial Co
