TJ60S06M3L,LXHQ
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2288025-TJ60S06M3L,LXHQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TJ60S06M3L,LXHQ
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK+ | |
| Número do produto base | TJ60S06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 156 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | +10V, -20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7760 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) | |
| Outros nomes | TJ60S06M3L,LXHQ(O 264-TJ60S06M3LLXHQTR 264-TJ60S06M3LLXHQCT 264-TJ60S06M3LLXHQDKR |
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