NVD5117PLT4G-VF01

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MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2282846-NVD5117PLT4G-VF01

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

NVD5117PLT4G-VF01

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	DPAK
Número do produto base	NVD5117
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	11A (Ta), 61A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4800 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	4.1W (Ta), 118W (Tc)
Outros nomes	NVD5117PLT4G-VF01TR NVD5117PLT4G-VF01DKR NVD5117PLT4G-VF01CT