TPN30008NH,LQ
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
Número da pe?a NOVA:
312-2277598-TPN30008NH,LQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPN30008NH,LQ
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 80 V 9.6A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | |
| Número do produto base | TPN30008 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.6A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 4.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 920 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta), 27W (Tc) | |
| Outros nomes | TPN30008NHLQDKR TPN30008NHLQ TPN30008NHLQCT TPN30008NH,LQ(S TPN30008NHLQTR |
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