SQM60N20-35_GE3
MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2274222-SQM60N20-35_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQM60N20-35_GE3
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 60A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263 (D²Pak) | |
| Número do produto base | SQM60 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5850 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) | |
| Outros nomes | SQM60N20-35_GE3CT SQM60N20-35_GE3TR SQM60N20-35_GE3DKR SQM60N20-35_GE3-ND |
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