IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2283077-IPB320N20N3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB320N20N3GATMA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-3 | |
| Número do produto base | IPB320 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 136W (Tc) | |
| Outros nomes | SP000691172 IPB320N20N3G IPB320N20N3 GDKR IPB320N20N3 GCT IPB320N20N3GATMA1TR IPB320N20N3GATMA1DKR IPB320N20N3 G-ND IPB320N20N3 G IPB320N20N3 GDKR-ND IPB320N20N3 GTR IPB320N20N3GATMA1CT IPB320N20N3 GTR-ND IPB320N20N3 GCT-ND |
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