IXTT90P10P

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MOSFET P-CH 100V 90A TO268

Número da pe?a NOVA:

312-2289881-IXTT90P10P

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IXTT90P10P

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

P-Channel 100 V 90A (Tc) 462W (Tc) Surface Mount TO-268AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-268AA
Número do produto base	IXTT90
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	PolarP™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	90A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5800 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	462W (Tc)