SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2283060-SQM100P10-19L_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQM100P10-19L_GE3
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 93A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263 (D²Pak) | |
| Número do produto base | SQM100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 93A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 350 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14100 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) | |
| Outros nomes | SQM100P10-19L_GE3CT SQM100P10-19L_GE3-ND SQM100P10-19L_GE3TR SQM100P10-19L GE3 SQM100P10-19L_GE3DKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SUM110P08-11L-E3Vishay Siliconix
LMK00101SQE/NOPBTexas Instruments- SUM90P10-19L-E3Vishay Siliconix
- SQM40041EL_GE3Vishay Siliconix
SBAT54SLT1Gonsemi
A768MS107M1JLAE027KEMET
BSS123,215Nexperia USA Inc.- SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix
SN6501QDBVRQ1Texas Instruments- SQM120P06-07L_GE3Vishay Siliconix
SUM70101EL-GE3Vishay Siliconix- SQM120P04-04L_GE3Vishay Siliconix
