NTD4808N-1G

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2277647-NTD4808N-1G

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

NTD4808N-1G

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 30 V 10A (Ta), 63A (Tc) 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Through Hole I-PAK

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	I-PAK
Número do produto base	NTD4808
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	10A (Ta), 63A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1538 pF @ 12 V
Dissipação de energia (máx.)	1.4W (Ta), 54.6W (Tc)