NTD4979N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2301908-NTD4979N-35G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTD4979N-35G
Embalagem padr?o:
75
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 9.4A (Ta), 41A (Tc) 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) Through Hole I-PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | I-PAK | |
| Número do produto base | NTD4979 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 837 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.38W (Ta), 26.3W (Tc) | |
| Outros nomes | ONSONSNTD4979N-35G 2156-NTD4979N-35G-OS |
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