IXTN660N04T4

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MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B

Número da pe?a NOVA:

312-2263629-IXTN660N04T4

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IXTN660N04T4

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	IXYS
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-227B
Número do produto base	IXTN660
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Trench
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	660A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	860 nC @ 10 V
Recurso FET	Current Sensing
Pacote / Estojo	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Máx.)	±15V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	44000 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	1040W (Tc)