IPD082N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2282067-IPD082N10N3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD082N10N3GATMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
| Número do produto base | IPD082 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 73A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) | |
| Outros nomes | IPD082N10N3GATMA1-ND IPD082N10N3GATMA1TR SP001127824 IPD082N10N3GATMA1CT IPD082N10N3GATMA1DKR |
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