IPB80P04P405ATMA2

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MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

Número da pe?a NOVA:

312-2288735-IPB80P04P405ATMA2

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB80P04P405ATMA2

Embalagem padr?o:

1,000

P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-3-2
Número do produto base	IPB80P04
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	151 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10300 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	125W (Tc)
Outros nomes	448-IPB80P04P405ATMA2CT 448-IPB80P04P405ATMA2TR SP002325752 448-IPB80P04P405ATMA2DKR