IPB80P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Número da pe?a NOVA:
312-2288736-IPB80P04P4L04ATMA2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB80P04P4L04ATMA2
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-3-2 | |
| Número do produto base | IPB80P04 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS®-P2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 176 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | +5V, -16V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11570 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-IPB80P04P4L04ATMA2DKR 448-IPB80P04P4L04ATMA2CT SP002325756 448-IPB80P04P4L04ATMA2TR |
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