IRLHM620TRPBF
MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2280523-IRLHM620TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRLHM620TRPBF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PQFN (3x3) | |
| Número do produto base | IRLHM620 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 26A (Ta), 40A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3620 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | |
| Outros nomes | IRLHM620TRPBFDKR IRLHM620TRPBF-ND IRLHM620TRPBFTR SP001550432 IRLHM620TRPBFCT |
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