IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2291149-IRFH6200TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFH6200TRPBF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-PQFN (5x6) | |
| Número do produto base | IRFH6200 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 49A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10890 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| Outros nomes | IRFH6200TRPBF-ND IRFH6200TRPBFTR SP001575628 IRFH6200TRPBFCT IRFH6200TRPBFDKR |
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