IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
Número da pe?a NOVA:
312-2297993-IPB180P04P403ATMA2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB180P04P403ATMA2
Embalagem padr?o:
1,000
P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-7-3 | |
| Número do produto base | IPB180 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 17640 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-IPB180P04P403ATMA2TR SP002325764 448-IPB180P04P403ATMA2DKR 448-IPB180P04P403ATMA2CT |
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