FDB035N10A
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2283528-FDB035N10A
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDB035N10A
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Número do produto base | FDB035 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PowerTrench® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 75A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7295 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 333W (Tc) | |
| Outros nomes | FDB035N10ATR FDB035N10ACT FDB035N10A-ND FDB035N10ADKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- FDB0300N1007Lonsemi
- PSMN3R7-100BSEJNexperia USA Inc.
- IPB027N10N5ATMA1Infineon Technologies
- FDB86135onsemi
- DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated
- DMG1013UW-7Diodes Incorporated
- 1N4148WS RRGTaiwan Semiconductor Corporation
- SQM120P10_10M1LGE3Vishay Siliconix
- NTB004N10Gonsemi
- 1N5363BRLGonsemi
- CSD19536KTTTexas Instruments
- IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies











