BSC0805LSATMA1
100V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL,
Número da pe?a NOVA:
312-2313711-BSC0805LSATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC0805LSATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 79A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-6 | |
| Número do produto base | BSC0805 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ 5 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 79A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 40A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 49µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001861048 448-BSC0805LSATMA1CT 448-BSC0805LSATMA1DKR 448-BSC0805LSATMA1TR |
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