HUF76639S3ST-F085
HUF76639 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Número da pe?a NOVA:
312-2275541-HUF76639S3ST-F085
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
HUF76639S3ST-F085
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Fairchild Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | UltraFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 51A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 51A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±16V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 180W (Tc) | |
| Outros nomes | 2156-HUF76639S3ST-F085-600039 |
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