IGLD60R070D1AUMA3

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GANFET N-CH

Número da pe?a NOVA:

312-2299765-IGLD60R070D1AUMA3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IGLD60R070D1AUMA3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-LSON-8-1
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Series	CoolGaN™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-LDFN Exposed Pad
Vgs (Máx.)	-10V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	600 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	380 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	114W (Tc)
Outros nomes	448-IGLD60R070D1AUMA3DKR SP005557209 448-IGLD60R070D1AUMA3CT 448-IGLD60R070D1AUMA3TR