GAN041-650WSBQ
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Número da pe?a NOVA:
312-2276615-GAN041-650WSBQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
GAN041-650WSBQ
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 47.2A 187W Through Hole TO-247-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-3 | |
| Tecnologia | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 47.2A | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 187W | |
| Outros nomes | 1727-GAN041-650WSBQ 934661752127 |
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