IGT60R070D1ATMA4

GANFET N-CH
Número da pe?a NOVA:
312-2297726-IGT60R070D1ATMA4
Número da pe?a do fabricante:
IGT60R070D1ATMA4
Embalagem padr?o:
2,000

N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteInfineon Technologies
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PG-HSOF-8-3
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
SeriesCoolGaN™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-PowerSFN
Vgs (Máx.)-10V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)600 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) 125W (Tc)
Outros nomes448-IGT60R070D1ATMA4TR
448-IGT60R070D1ATMA4CT
448-IGT60R070D1ATMA4DKR
SP005557216

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