SIZ342ADT-T1-GE3

MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3

Número da pe?a NOVA:

303-2066737-SIZ342ADT-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIZ342ADT-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 33.4A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-Power33 (3x3)
Número do produto base	SIZ342
Pacote / Estojo	8-PowerWDFN
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	15.7A (Ta), 33.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.2nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	580pF @ 15V
Potência - Máx.	3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
Outros nomes	742-SIZ342ADT-T1-GE3DKR 742-SIZ342ADT-T1-GE3TR 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT

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