SIZ322DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

Número da pe?a NOVA:

303-2247575-SIZ322DT-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIZ322DT-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc) 16.7W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-Power33 (3x3)
Número do produto base	SIZ322
Pacote / Estojo	8-PowerWDFN
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20.1nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	25V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 12.5V
Potência - Máx.	16.7W (Tc)
Outros nomes	SIZ322DT-T1-GE3DKR SIZ322DT-T1-GE3CT SIZ322DT-T1-GE3TR

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