SIZ340BDT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Número da pe?a NOVA:
303-2246911-SIZ340BDT-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIZ340BDT-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-Power33 (3x3) | |
| Número do produto base | SIZ340 | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerWDFN | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V | |
| Potência - Máx. | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SIZ340BDT-T1-GE3DKR 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR 742-SIZ340BDT-T1-GE3CT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- 74AHCT1G126QW5-7Diodes Incorporated
- SIZ340ADT-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIZ342DT-T1-GE3Vishay Siliconix
- 150066RG54050Würth Elektronik
- TCJD107M025R0055Kyocera AVX
- MAX17085BETL+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
- SIZ342ADT-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIZ346DT-T1-GE3Vishay Siliconix




