SQ1912EH-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
Número da pe?a NOVA:
303-2248882-SQ1912EH-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ1912EH-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-70-6 | |
| Número do produto base | SQ1912 | |
| Pacote / Estojo | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 1.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.15nC @ 4.5V | |
| Recurso FET | Standard | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 75pF @ 10V | |
| Potência - Máx. | 1.5W | |
| Outros nomes | SQ1912EH-T1_GE3DKR SQ1912EH-T1_GE3CT SQ1912EH-T1_GE3TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SQ1922EEH-T1_GE3Vishay Siliconix