BSS159NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2264925-BSS159NH6327XTSA2
製造メーカー部品番号:
BSS159NH6327XTSA2
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT23 | |
| 基本製品番号 | BSS159 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.4V @ 26µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1.4 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | Depletion Mode | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 39 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 360mW (Ta) | |
| その他の名前 | BSS159NH6327XTSA2DKR BSS159NH6327XTSA2TR SP000919328 BSS159NH6327XTSA2CT |
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