BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
NOVA部品番号:
312-2263359-BSS169H6327XTSA1
製造メーカー部品番号:
BSS169H6327XTSA1
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT23 | |
| 基本製品番号 | BSS169 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 0V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.8V @ 50µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.8 nC @ 7 V | |
| FETの特徴 | Depletion Mode | |
| パッケージ・ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 68 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 360mW (Ta) | |
| その他の名前 | BSS169H6327XTSA1TR SP000702572 BSS169 H6327DKR-ND BSS169 H6327-ND BSS169 H6327CT-ND BSS169H6327XTSA1DKR BSS169H6327XTSA1CT BSS169 H6327DKR BSS169 H6327TR INFINFBSS169H6327XTSA1 BSS169 H6327 BSS169 H6327TR-ND BSS169 H6327CT 2156-BSS169H6327XTSA1 |
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